双重掉电保护
高端技术，守护数据
至誉科技的双重掉电保护 (Dual Power Loss Protection，Dual PLP) 技术是一项先进功能，可有效防止意外掉电对闪存及其数据造成的潜在灾难性后果。
当闪存装置突然失去供电，传输中和尚未完成写入的数据有丢失且完全无法恢复的风险。更糟的是，位于闪存内部的映射表——记录了踪数据存储的位置——有可能会严重损毁，使闪存无法在恢复供电后正常运行。
双重掉电保护技术通过基于硬件和固件的方法，双管齐下消除了这些威胁。
至誉科技的固件掉电保护使闪存能够在恢复供电时，快速轻松地重建映射表，让应用可以继续照常使用 SSD。至誉科技通过结合自家开发的各种高端固件算法来实现这一技术，这些算法包括：
- 数据安全管家+ ( Firmware Integrity Plus™) 技术通过时刻保有多重固件映像备份，消除固件损毁而导致闪存无法运行的风险；
- RAID ECC 侦错和LDPC算法可寻回并重建深度毁损的资料，提供数据完整性保障；
- 端对端数据路径保护可在数据传输的整个路径中进行侦错，确保极高级别的数据完整性。
这些技术共同确保无论是传输中或是已存储的数据，都有绝佳的可靠度和健康度，不会因写入未完成而导致损毁。
另一方面，硬件掉电保护则利用钽电容为存储装置提供足够的备用电力，在因断电而被迫关闭之前，将所有剩余数据刷新到闪存中，能够在不稳定的使用环境中，给终端用户带来多一层保护。
电源正常关闭的情况下，主机会向 SSD 发送指令，命令它在完成断电之前，将暂存在 DRAM 缓存中的动态数据保存到闪存。[下图1]
而在意外掉电事件中，一旦电压监测器检测到电压降至 4V 以下，SSD就会触发掉电保护机制。此时，钽电容作为备用电池将为 SSD 提供足够的额外电力，以完成对 NAND 闪存的数据写入动作。[下图2]
显然，大容量的 SSD 需要更多时间来将传输中的数据保存到 NAND，因为有多少数据存在丢失风险，取决于 DRAM 缓存能够保存多少的数据量。不过实务中，由于主控制器的承载力有限，固态硬盘的 DRAM 缓存大小往往不会超过 8 MB，这意味着在意外掉电事件中，SSD 需要高至 6 毫秒来完成写入。
至誉科技针对其具备双重掉电保护技术的 SSD 进行实际测试，发现其钽电容可提供长达 29 毫秒的数据保存时间——这远远高于市场上大容量 SSD 遭遇掉电时所需的反应时间。
固件与硬件相结合，为突发掉电情况及后续的负面影响提供了绝佳的解决之道。
支持掉电保护的至誉 SSD 类型
| 至誉 SSD | 硬件 PLP | 固件 PLP |
| PCIe M.2 | 按需提供 | V |
| U.2、E1.S 和 2.5” SATA-III | V | V |
| SATA-III M.2 | 按需提供 | V |
