双重断电保护
结合硬件和固件技术，确保断电时的数据完整性
至誉科技的双断电保护技术是一种先进的解决方案，旨在有效抵御突然断电对闪存及其相关数据可能造成的灾难性后果。
闪存设备突然断电会导致正在运行中的数据和尚未存储在非易失性 NAND 闪存中的数据丢失，使其无法恢复。此外，用于跟踪 NAND 闪存中存储位置的映射表也存在严重损坏的重大风险。这种损坏会导致存储设备在恢复供电后无法运行。
为了解决这些漏洞，至誉科技在其双断电保护技术中采用了一种包含硬件和固件组件的综合策略。
基于固件的保护
至誉科技基于固件的掉电保护可确保在恢复供电后快速、无缝地重建映射表。这样，应用程序就能不间断地使用固态硬盘，就像没有发生断电一样。为此，至誉科技采用了多项尖端固件技术，包括：
- Firmware Integrity Plus™，可在闪存页面上维护多个固件备份，确保随时访问最新的固件副本。
- RAID ECC 和 LDPC 算法，甚至能检索和重建严重损坏的数据。
- 数据路径保护，可确保传输数据和为垃圾收集目的而重新定位的数据的完整性。
这些技术共同确保了存储数据和飞行中数据的最高可靠性和健康状况，使其免受不完整写入操作造成的损坏或损害。
基于硬件的保障措施
- 在硬件方面，至誉科技的双断电保护功能集成了钽电容器。这些电容器能保持足够的额外电量，使存储设备在因断电而被迫关闭之前，能将任何剩余数据刷新到非易失性闪存中。
- 在常规电源关闭的情况下，主机系统将向固态硬盘发出指令，指示其在完成关闭过程之前将 DRAM 缓存中存储的任何飞行数据保存到 NAND 闪存中。此过程如图 1 所示。
- 在意外断电的情况下，固态硬盘的电压检测器一旦检测到电压低于 4V，就会激活 PLP。此时，作为备用电池的钽电容器将为固态硬盘提供额外的电力，使其能够完成向 NAND 闪存写入数据的工作。此过程如图 2 所示。
图1
图2
延长数据冲洗时间，实现大容量存储
对于更大容量的固态硬盘，将传输中数据刷新到 NAND 闪存所需的时间自然会增加，这取决于 DRAM 缓存可容纳的数据量。然而，由于控制器负载的限制，固态硬盘的 DRAM 缓冲区最大容量通常为 8 MB。因此，在断电情况下，固态硬盘可能需要大约 6 毫秒才能完成写入操作。
至誉科技支持双掉电保护的固态硬盘采用了电容器，将数据刷新时间延长至 29 毫秒，远远超出了目前市场上更大容量固态硬盘的要求。
全面防御电能损耗
结合使用至誉科技基于固件和硬件的断电保护机制，可有效防止突然断电及其可能引发的灾难性后果。
具有掉电保护 (PLP) 功能的至誉科技固态硬盘 (SSD)
| SSD | Hardware PLP | Firmware PLP |
| M.2 | 根据要求 | √ |
| 2.5”/U.2/E1.S | √ | √ |
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